10月18日早間消息，三星官方宣布，已經(jīng)開始進行7nm LPP(Low Power Plus)工藝芯片的量產(chǎn)工作。

　　據(jù)悉，三星的7nm LPP采用EUV光刻，機器采購自荷蘭ASML(阿斯麥)，型號為雙工件臺NXE:3400B(光源功率280W)，日產(chǎn)能1500片。

　　簡單來說，EUV使用13.5nm波長的極紫外光曝光硅片，而傳統(tǒng)的氟化氬(ArF)浸沒式光刻則是依靠193nm波長，并且需要昂貴的多模掩模裝置。EUV技術(shù)使得使用單個光罩來創(chuàng)建硅晶圓層成為可能，而ArF可能需要多達4倍的光罩才能創(chuàng)建相同的晶片。也就是說，與非EUV工藝相比，三星的7 LPP工藝可使光罩總數(shù)減少約20%，為客戶能夠節(jié)省時間和成本。

　　三星透露，其從2000年左右就著手研究EUV技術(shù)了。

　　技術(shù)指標上，對比10nm FinFET，三星7nm LPP可實現(xiàn)面積能效(同樣復(fù)雜度為量綱)提升40%、性能增加20%、功耗降低最多50%。

　　三星透露，基于EUV的7nm LPP成功量產(chǎn)為其推進3nm奠定了基礎(chǔ)、指明了道路。產(chǎn)能方面，主要在韓國華城的S3工廠，2020年前會在開一條新產(chǎn)線。

　　目前已知，高通新一代的5G基帶會采用三星的7nm LPP工藝，看起來驍龍8150/8180等SoC希望也很大。