北京時(shí)間12月4日消息，英特爾在一項(xiàng)被稱作自旋電子學(xué)的技術(shù)方面取得了進(jìn)展，未來芯片尺寸可縮小5倍，能耗可降低至多30倍。

　　當(dāng)?shù)貢r(shí)間星期一，英特爾和加州大學(xué)伯克利分校研究人員闡述了他們?cè)谧孕�電子學(xué)方面的最新進(jìn)展，未來芯片尺寸將在當(dāng)前基礎(chǔ)上縮小5倍，能耗將降低10至30倍。如果這一技術(shù)能成功商業(yè)化——這還是個(gè)大大的問號(hào)，它將為芯片產(chǎn)業(yè)帶來新活力。

　　目前的計(jì)算機(jī)芯片利用微型開關(guān)(晶體管)處理數(shù)據(jù)，自旋電子學(xué)能完成相似的任務(wù)，但元器件尺寸更小、更節(jié)能。

　　英特爾元件研究機(jī)構(gòu)項(xiàng)目負(fù)責(zé)人薩思堪斯·馬尼帕特魯尼(Sasikanth Manipatruni)在一份聲明中說，“我們?cè)谂�力在產(chǎn)業(yè)和晶體管研究領(lǐng)域引發(fā)新一輪創(chuàng)新。”《自然》雜志星期一發(fā)表了這項(xiàng)研究論文，馬尼帕特魯尼是第一作者。

　　自旋是量子力學(xué)的一種基本屬性，電子像微型磁鐵一樣運(yùn)動(dòng)，有北極和南極，磁場(chǎng)方向——向上或向下——可以改變的，從而用來存儲(chǔ)或處理數(shù)據(jù)。英特爾-加州大學(xué)的論文研究如何利用自旋處理數(shù)據(jù)。

　　數(shù)十年來，芯片依賴于一種被稱作CMOS的技術(shù)。隨著元器件尺寸日趨接近單個(gè)原子大小，芯片的發(fā)展遇到了天花板。

　　英特爾-加州大學(xué)的研究被稱作MESO，利用了被稱作多鐵性材料的物質(zhì)的自旋性質(zhì)。

　　研究人員表示，與CMOS晶體管相比，MESO芯片對(duì)能耗的要求要低得多，因?yàn)樗鼈儾恍枰�電能就能保持信息，提供在空閑時(shí)更節(jié)能的休眠狀態(tài)。