想必MLC/TLC/QLC閃存顆粒的概念已經(jīng)不用科普，簡言之，其存儲密度依次提高、但價格和壽命卻依次下降。隨著三星860QVO、Intel 660p、英睿達(dá)P1等SSD產(chǎn)品的上市，QLC已經(jīng)開始了普及之路，作為對傳統(tǒng)機(jī)械硬盤的又一次猛攻。

　　也許，你對QLC(每單元存儲4bit數(shù)據(jù))還心存芥蒂，但最新消息稱，美光可能會在今年上半年首次發(fā)布OLC閃存。

　　OLC即Octa-Level，也就是每Cell要存儲8bit，顯然，在單位尺寸的NAND芯片下，它的空間存儲量將比QLC翻番。當(dāng)然，為了保證OLC閃存的壽命，對主控的要求也會更高，包括垃圾回收、糾錯等能力。

　　目前TLC閃存的P/E(可編程擦寫循環(huán))在2000~3000次左右，QLC在1000次左右，按照一個上班族正常工作日讀寫10~60GB數(shù)據(jù)來算，1塊240GB的QLC SSD壽命預(yù)計在11~67年左右。不過，OLC的PE次數(shù)雖然不可避免地減少，但SSD成品很可能會從起步就做到500GB開始，兩相抵消對普通消費(fèi)者的數(shù)據(jù)安全并未造成更大困擾。

　　遺憾的是，對于OLC閃存的傳言，美光官方只有一句回應(yīng)“假的”并拒絕給出更多評論。