日本針對(duì)韓國(guó)氟聚酰亞胺、光刻膠等三種原材料實(shí)施管制之后，這種由雙方貿(mào)易戰(zhàn)所帶了的影響，已經(jīng)開始影響到消費(fèi)端。市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)發(fā)布最新調(diào)研數(shù)據(jù)顯示，從本周開始8Gb DDR4內(nèi)存均價(jià)達(dá)到了3美元。

　　據(jù)悉，雖然價(jià)格僅是上漲1.2%，但這是自去年9月份以來內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格首次上揚(yáng)。這表明內(nèi)存市場(chǎng)上已經(jīng)離開是有恐慌情緒。即擔(dān)心日本制裁將會(huì)導(dǎo)致三星等全球重要廠商出貨量下降。

　　據(jù)了解，三星全球NAND市占逾三成，而且目前三星已開始考慮縮減逾二成產(chǎn)出，等于全球?qū)�減少逾6%至8%供應(yīng)量，加上東芝NAND工廠上月受強(qiáng)震影響產(chǎn)能估達(dá)3%，合計(jì)本月起，全球NAND產(chǎn)出將減少近一成，且美光也宣布本季減產(chǎn)五成NAND芯片，預(yù)料在庫(kù)存快速消化及未來供給大幅縮減下，NAND芯片恐出現(xiàn)缺貨，價(jià)格也將結(jié)束長(zhǎng)達(dá)二年多的跌勢(shì)。

　　同時(shí)分析者認(rèn)為，若日韓貿(mào)易談判無法取得實(shí)質(zhì)性進(jìn)展，則下季DRAM合約價(jià)也將止跌反彈。綜合來看，在天災(zāi)+人禍的雙重影響下全球市場(chǎng)將會(huì)出現(xiàn)NAND與DRAM兩大內(nèi)存“雙漲”效應(yīng)。

　　天災(zāi)影響，今年6月中旬東芝位于日本四日市的5座閃存工廠遭遇斷電事故，導(dǎo)致部分工廠停工5天，另外3座工廠停產(chǎn)到本月，這起“天災(zāi)”有可能改變Q3季度閃存的價(jià)格走向，跌幅收窄是沒跑了。

　　人禍影響，本月初日本宣布制裁韓國(guó)，限制三種關(guān)鍵的半導(dǎo)體材料出口給韓國(guó)公司，其中光刻膠是閃存內(nèi)存生產(chǎn)中必須的材料，沒有日本的供應(yīng)，韓國(guó)三星、SK海力士等公司的內(nèi)存閃存生產(chǎn)要受到限制。