要奪回領(lǐng)導(dǎo)地位，英特爾來勢洶洶。英特爾的目標(biāo)是在本世紀(jì)末成為世界第二大晶圓代工廠。最近幾年來，英特爾的路線很激進(jìn)，無論是‘四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)’對先進(jìn)工藝的追逐，還是在2030年實(shí)現(xiàn)在單個(gè)封裝中集成一萬億個(gè)晶體管，以及代工服務(wù)業(yè)務(wù)的開展。

　　臺(tái)積電的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃

　　在2023年北美技術(shù)研討會(huì)上，臺(tái)積電介紹了其未來的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。從2017年到2019年，臺(tái)積電平均每年建設(shè)兩期晶圓廠左右。而從2020年到2023年，平均值將顯著增加到5左右。近兩年，臺(tái)積電共開工建設(shè)10期新廠，包括5期中國臺(tái)灣晶圓廠、2期中國臺(tái)灣先進(jìn)封裝廠、3期海外晶圓廠。

　　具體地區(qū)上來看，臺(tái)積電在臺(tái)灣正在為N2的生產(chǎn)建設(shè)新的晶圓廠，新竹的Fab 20和臺(tái)中的新工廠。在美國，臺(tái)積電計(jì)劃在亞利桑那州建設(shè) 2 座晶圓廠，N4首座晶圓廠已開始設(shè)備進(jìn)場，2024年量產(chǎn)。第二座工廠正在建設(shè)中，計(jì)劃用于生產(chǎn) N3。兩家晶圓廠的總產(chǎn)能將達(dá)到每年 60 萬片晶圓。

　　早在2021年，臺(tái)積電就臺(tái)積電攜手日本索尼在日本設(shè)立子公司JASM，并合作興建營運(yùn)晶圓廠，初期采用22/28納米制程提供專業(yè)集成電路制造服務(wù)，以滿足全球市場對特殊技術(shù)的強(qiáng)勁需求。日本JASM晶圓廠預(yù)計(jì)2022年開始興建，2024年底前生產(chǎn)。建成后，月產(chǎn)能達(dá)4.5萬片12英寸晶圓。初期預(yù)估資本支出約70億美元，并獲日本政府承諾支持。

　　今年4月份，據(jù)消息人士透露，臺(tái)積電將與博世以及其他兩家與汽車行業(yè)相關(guān)的歐洲公司合作，意欲在德國建設(shè)28nm晶圓廠，討論仍在進(jìn)行中。這種成熟節(jié)點(diǎn)非常適合汽車芯片，而歐洲又是汽車重鎮(zhèn)。到2024年，28納米及以下工藝的海外產(chǎn)能將比2020年增長3倍。

　　但相比之下，臺(tái)積電在國內(nèi)的28nm擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃就不那么美好。在上述消息傳出之前，臺(tái)積電在高雄的28納米擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃被取消。臺(tái)積電2021年11月宣布在高雄投資設(shè)立7納米、28納米二座12英寸晶圓廠，7納米廠已在今年初宣布暫停，如今又傳出臺(tái)積電原訂1月開標(biāo)的高雄廠機(jī)電工程標(biāo)案延后1年，相關(guān)無塵室、裝機(jī)作業(yè)延后、臺(tái)積電高雄廠計(jì)劃采購的28納米機(jī)臺(tái)清單也全數(shù)取消。

　　由于AI應(yīng)用的火爆，臺(tái)積電的先進(jìn)封裝需求劇增。2023年6月份，臺(tái)積電宣布新建一個(gè)先進(jìn)封裝廠，為Fab6，來擴(kuò)展3D Fabric封裝技術(shù)。該晶圓廠于2020年開工建設(shè)，位于竹南科學(xué)園區(qū)，基地面積達(dá)14.3公頃，是臺(tái)積電迄今為止*的先進(jìn)后道晶圓廠，潔凈室面積大于臺(tái)積電其他先進(jìn)后道晶圓廠的總和。臺(tái)積電估計(jì)，該晶圓廠將具備年產(chǎn)100萬片以上12英寸晶圓等效3DFabric制程技術(shù)的能力，以及每年超過1000萬小時(shí)的測試服務(wù)。臺(tái)積電3DFabric包含多種先進(jìn)的 3D 硅堆疊和先進(jìn)的封裝技術(shù)，如SoIC、InFO、CoWoS和先進(jìn)測試，可支持范圍廣泛的下一代產(chǎn)品。

　　英特爾來的更猛烈一些？

　　英特爾目前在全球有10個(gè)制造廠，在現(xiàn)有的基地中，包括五個(gè)晶圓廠和四個(gè)裝配和測試設(shè)施。過去幾年，英特爾不斷在這些基地的基礎(chǔ)上進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)建廠。而現(xiàn)在，英特爾正積極推進(jìn)其制造業(yè)務(wù)的進(jìn)一步擴(kuò)張，以進(jìn)一步拓展其制造版圖。

　　英特爾在歐洲

　　作為IDM 2.0的戰(zhàn)略規(guī)劃的一部分，英特爾計(jì)劃在未來十年內(nèi)沿著整個(gè)半導(dǎo)體價(jià)值鏈(從研發(fā)到制造和先進(jìn)封裝)在歐盟投資多達(dá) 800億歐元。英特爾*階段在整個(gè)歐洲計(jì)劃初始投資超過330億歐元，具體規(guī)劃藍(lán)圖是，在德國建設(shè)*的半導(dǎo)體芯片制造工廠，在法國建立新的研發(fā) (R&D) 和設(shè)計(jì)中心，并擴(kuò)大研發(fā)能力、制造、代工服務(wù)和在愛爾蘭、意大利、波蘭和西班牙進(jìn)行后端生產(chǎn)。英特爾此舉也將有助于歐洲實(shí)現(xiàn)到2030年拿下全球半導(dǎo)體20%的制造目標(biāo)。

　　波蘭建設(shè)封測廠(新建)

　　2023年6月16日，英特爾計(jì)劃投資高達(dá)46億美元在波蘭弗羅茨瓦夫附近新建一個(gè)半導(dǎo)體組裝和測試工廠。波蘭總理Mateusz Morawiecki稱英特爾工廠是“波蘭歷史上*的綠地投資”。該工廠將于2027年上線。英特爾表示這個(gè)工廠靠近其計(jì)劃在德國和愛爾蘭的工廠，結(jié)合起來，這些設(shè)施將有助于在整個(gè)歐洲創(chuàng)建一個(gè)端到端的*半導(dǎo)體制造價(jià)值鏈。

　　英特爾在波蘭的布局始于1993年，彼時(shí)其在波蘭的首都華沙開設(shè)銷售辦事處;1999年英特爾通過位于格但斯克(Gdansk)的收購網(wǎng)絡(luò)設(shè)備廠商Olicom成立了研發(fā)中心;到2022年，格但斯克研發(fā)辦公室成為英特爾在歐洲*的研發(fā)中心。

　　德國建設(shè)巨型晶圓廠(新建)

　　早在2022年3月15日，英特爾在德國已經(jīng)宣布投資170億歐元建立了一個(gè)半導(dǎo)體巨型晶圓廠，原本商定德國政府補(bǔ)貼68億歐元，但由于材料成本和勞動(dòng)成本的大幅上漲，后來英特爾又抬高到99億歐元(108.3 億美元)的補(bǔ)貼價(jià)格，2023年6月19日，雙方簽署了修訂后的意向書。位于德國的這一新的晶圓廠預(yù)計(jì)將交付采用英特爾*進(jìn)的埃時(shí)代晶體管技術(shù)的芯片。

　　參加 2023 年 6 月 19 日儀式的代表包括(前排左起)英特爾首席全球運(yùn)營官 Keyvan Esfarjani;經(jīng)濟(jì)、金融和歐洲事務(wù)國務(wù)秘書 Jörg Kukies;和(后排左起)英特爾首席執(zhí)行官 Pat Gelsinger;和德國總理奧拉夫·舒爾茨。圖片來源：Bundesregierung/Kugler

　　2019年英特爾對其位于愛爾蘭的晶圓廠進(jìn)行擴(kuò)建，投資70億美元，新建一個(gè)Fab 34，將于2023年上線。該工廠將使英特爾愛爾蘭的制造空間擴(kuò)大一倍，并為lntel 4工藝技術(shù)的生產(chǎn)鋪平道路。

　　英特爾在以色列

　　6月份，據(jù)以色列時(shí)報(bào)報(bào)道，英特爾已與以色列政府簽署原則性協(xié)議，投資250億美元在Kiryat Gat建設(shè)芯片制造廠。“這是以色列國有史以來*的投資，”內(nèi)塔尼亞胡在周日的每周內(nèi)閣會(huì)議上說。其實(shí)早在2019 年，英特爾已經(jīng)就投資約100億美元建設(shè) Kiryat Gat 芯片工廠進(jìn)行了談判。Kiryat Gat工廠預(yù)計(jì)將于2027年開業(yè)。

　　以色列對于英特爾的貢獻(xiàn)頗大，大約50年前，一位在加利福尼亞州為英特爾工作的以色列工程師Dov Frohman，他在1972年發(fā)明了EPROM，即紫外線可擦除只讀存儲(chǔ)芯片，最終導(dǎo)致了閃存的誕生。1974年英特爾在以色列開設(shè)了*個(gè)以色列辦事處(英特爾希望找到更多Frohmans)。英特爾的第 7代和第8代英特爾酷睿處理器主要在以色列開發(fā)。

　　英特爾在美國

　　俄勒岡州

　　2022年4月11日，英特爾對其位于俄勒岡州希爾斯伯勒的晶圓廠D1X擴(kuò)建，該項(xiàng)目投資30億美元。并將這個(gè)占地500畝的園區(qū)新命名為Ronler Acres的Gordon Moore Park，以紀(jì)念英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登摩爾。英特爾在俄勒岡州的芯片工廠是全球*的工廠。

　　俄亥俄州(新建)

　　2022年1月，英特爾已宣布計(jì)劃初始投資超過200億美元，在俄亥俄州利金縣建設(shè)兩家新的尖端晶圓廠。這是俄亥俄州歷史上*的單一私營部門投資。2023年5月，該芯片廠已經(jīng)開始澆筑混凝土。

　　亞利桑那州(新建)

　　2021年9月24日，英特爾投資200億美元在亞利桑那州錢德勒的Ocotillo校區(qū)的兩家新的晶圓廠破土動(dòng)工，分別命名為Fab 52和Fab 62。屆時(shí)英特爾Ocotillo園區(qū)將共有六個(gè)晶圓廠。這兩個(gè)晶圓廠將于2024年開始運(yùn)營，新晶圓廠將制造英特爾*進(jìn)的工藝技術(shù)，包括采用全新RibbonFET和PowerVia技術(shù)的英特爾20A。

　　新墨西哥州(擴(kuò)產(chǎn)投資)

　　2021年5月3日，英特爾宣布將向其新墨西哥州的業(yè)務(wù)投資35億美元，發(fā)展Foveros先進(jìn)封裝技術(shù)。位于新墨西哥州的eRio Rancho 工廠目前開發(fā)和制造封裝技術(shù)、內(nèi)存和連接技術(shù)。

　　晶圓廠建設(shè)的復(fù)雜性和成本

　　據(jù)英特爾的信息，一個(gè)設(shè)備齊全的新工廠耗資約100億美元，需要7000名建筑工人大約三年才能完成。一個(gè)典型的英特爾晶圓廠包含大約1,200種先進(jìn)工具，其中許多價(jià)值數(shù)百萬美元。晶圓廠的四個(gè)級(jí)別中有三個(gè)支持潔凈室級(jí)別，即實(shí)際芯片生產(chǎn)的地方。

　　- 最上層是插頁和風(fēng)扇甲板，風(fēng)機(jī)甲板上的系統(tǒng)可以保持潔凈室中的空氣無顆粒，并精確地保持適合生產(chǎn)的溫度和濕度。這一層被稱為間隙層，是晶圓廠的最高層。

　　- 接下來是潔凈室，工作人員穿著兔子服，以防止絨毛、毛發(fā)和皮膚碎片離開硅片。有趣的是，潔凈室通常使用黃色燈光照明，這在光刻過程中是必要的，以防止光刻膠受到波長較短的光的影響。

　　- 再往下一級(jí)是潔凈車間，其中包含數(shù)千臺(tái)泵、變壓器、電源柜和其他支持潔凈室的系統(tǒng)。被稱為“分支”的大型管道將氣體、液體、廢物和廢氣輸送到生產(chǎn)工具中。在這個(gè)層面上，工人不穿兔子服，但他們戴著安全帽、安全眼鏡、手套和鞋套。

　　- *層是實(shí)用層，支持工廠的電氣面板位于這里，還有與清潔子工廠的側(cè)管相連的“主電源”-大公用管道和管道系統(tǒng)。此外，這里還設(shè)有冷卻器和壓縮機(jī)系統(tǒng)。負(fù)責(zé)監(jiān)控這一層設(shè)備的工作人員穿著便服，戴著安全帽和安全眼鏡。

　　在晶圓廠的建設(shè)過程中，物料更是大的驚人。最重的貨物是55噸的冷水機(jī)，相當(dāng)于12頭平均體型的非洲象。此外，將挖掘超過200萬立方碼的土壤和巖石，并在現(xiàn)場進(jìn)行再利用，這足以填滿俄亥俄州立大學(xué)的足球場。工程還需要澆筑50萬立方米的混凝土，以及10萬噸的鋼筋，相當(dāng)于世界最高建筑迪拜哈利法塔(Burj Khalifa)的兩倍以上。此外，還將使用5.8萬噸的結(jié)構(gòu)鋼，重量比埃菲爾鐵塔還要大8倍。預(yù)計(jì)將有7000名現(xiàn)場技工參與施工，總工時(shí)預(yù)計(jì)將超過1500萬小時(shí)，相當(dāng)于超過1700年的工作時(shí)間。另外，還將安裝長達(dá)23米的電纜，這一長度相當(dāng)于166個(gè)馬拉松的全程。

　　英特爾重回領(lǐng)導(dǎo)地位的幾大“法寶”技術(shù)

　　如此大的投資布局，英特爾要重奪領(lǐng)導(dǎo)地位的決心和來勢不容小覷。而關(guān)于英特爾能否重回領(lǐng)導(dǎo)地位，業(yè)界眾說紛紜。英特爾在10nm工藝節(jié)點(diǎn)上大約晚了5年，但是根據(jù)Wikichip Fuse的說法，英特爾可能會(huì)在今年晚些時(shí)候憑借其即將推出的Intel 4節(jié)點(diǎn)回到最前沿。在代工領(lǐng)域，根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)，臺(tái)積電在第三方芯片制造業(yè)務(wù)中的市場份額約為59%，其次是三星的16%，英特爾的份額還相對很小。

　　要重回領(lǐng)導(dǎo)地位，僅靠建廠是不夠的，產(chǎn)能是很重要的一方面，但還需要在芯片微縮方面先進(jìn)技術(shù)上的突破。目前，英特爾有兩大重要技術(shù)“法寶”。

　　其中一大法寶是RibbonFET，它是基于Gate All Around (GAA) 晶體管開發(fā)的。RibbonFET是英特爾自FinFET以后的*全新晶體管架構(gòu)。RibbonFET革新之處在于它堆疊了多個(gè)通道以實(shí)現(xiàn)與多個(gè)鰭片相同的驅(qū)動(dòng)電流，但占用空間更小(如下圖右)。對于給定的封裝，更高的驅(qū)動(dòng)電流會(huì)導(dǎo)致更快的晶體管開關(guān)速度，并最終帶來更高的性能。

　　另外一大法寶是PowerVia背面供電：所謂的背面供電簡單而言就是通過將電源線移至晶圓背面。數(shù)十年來，晶體管架構(gòu)中的電源線和信號(hào)線一直都在“搶占”晶圓內(nèi)的同一塊空間。通過在結(jié)構(gòu)上將這兩者的布線分開，可以很好地提高芯片性能和能效。

　　在研發(fā)代號(hào)為“Blue Sky Creek”的測試芯片上，英特爾已經(jīng)證實(shí)了這項(xiàng)技術(shù)確實(shí)能顯著提高芯片的使用效率，單元利用率(cell utilization)超過90%，平臺(tái)電壓(platform voltage)降低了30%，并實(shí)現(xiàn)了6%的頻率增益(frequency benefit)。PowerVia測試芯片也展示了良好的散熱特性，符合邏輯微縮預(yù)期將實(shí)現(xiàn)的更高功率密度。

　　研發(fā)代號(hào)為“Blue Sky Creek”的測試芯片

　　背面供電對晶體管微縮而言至關(guān)重要，可使芯片設(shè)計(jì)公司在不犧牲資源的同時(shí)提高晶體管密度，進(jìn)而顯著地提高功率和性能。英特爾的PowerVia將于2024年上半年在Intel 20A制程節(jié)點(diǎn)上推出。該技術(shù)將可以很好的支持英特爾代工服務(wù)(IFS)客戶在內(nèi)的芯片設(shè)計(jì)公司。

　　目前在臺(tái)積電、三星和英特爾這三大晶圓廠中，英特爾在背面供電技術(shù)領(lǐng)域是率先取得收獲的。早在2012年，英特爾引入FinFET技術(shù)，讓英特爾獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷好多年。英特爾認(rèn)為PowerVia技術(shù)將是其新的FinFET時(shí)刻。如果英特爾能夠按照其承諾實(shí)現(xiàn)該技術(shù)，那么其預(yù)計(jì)在部署背面供電方面至少比臺(tái)積電和三星*兩年。

　　除此之外，英特爾也在2D材料等領(lǐng)域不斷探索，據(jù)悉英特爾和CEA-Leti將使用層轉(zhuǎn)移技術(shù)在300毫米晶圓上開發(fā)金屬二硫化物 (2D TMD)，例如基于鉬和鎢的TMD，目標(biāo)是將摩爾定律擴(kuò)展到2030年以后。這主要是因?yàn)?D-FET提供了固有的亞1nm晶體管溝道厚度。

　　雖說還有各種各樣新技術(shù)、新材料、封裝和互聯(lián)技術(shù)等等的支撐，但英特爾折戟10nm制程之后，RibbonFET和PowerVia這兩大技術(shù)將成為英特爾重回正軌的關(guān)鍵，再一次的成敗似乎在此一舉�；蛟S我們將見證晶體管性能的又一次飛躍。