作為全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務(wù)提供商,長電科技具備面向5G基站射頻器件的一站式封測解決方案,并積累了豐富的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。

　　近年來5G商用的不斷提速,5G基站建設(shè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。數(shù)據(jù)顯示截至今年五月,中國5G基站總數(shù)已達(dá)到284.4萬個。5G基站中的射頻器件作為無線通信的核心器件,需要不斷提升性能,支撐5G的規(guī)�；�發(fā)展和多場景融合。

　　從封測角度看,5G基站的射頻器件從大功率器件到小信號器件、從Sub6G頻段到24G毫米波頻段;從發(fā)射端的增益放大器(GPA),驅(qū)動(Driver),末級(Final stage)和為之組成發(fā)射鏈路的電橋、變壓器、衰減器、濾波器、檢波器、射頻開關(guān)、功分器等,到接收機(jī)的多通道射頻前端模組(FEM),基本涵蓋了分立元件到系統(tǒng)級封裝(SIP)的所有封裝工藝。

　　長電科技憑借數(shù)十年的技術(shù)積累,已擁有完備的5G基站射頻器件封裝技術(shù),從大功率器件專用的塑料封裝(OM), 陶瓷封裝(NI), 塑料空腔封裝(ACP),到通用的SOT, TO, QFN, DFN, LGA,以及Flipchip封裝、Chiplet先進(jìn)封裝、FO-WLBGA封裝等,可滿足日益增加的高性能、高集成度的5G基礎(chǔ)設(shè)施射頻器件的需求,加速5G基站的建設(shè)部署和多場景融合,同時通過成熟的5G基站射頻器件的封裝工藝,尤其是高集成度的射頻器件工藝,可以應(yīng)用到其它的射頻芯片領(lǐng)域。

　　同時,長電科技可提供射頻器件的定制化硅基集成被動器件(IPD)以及管芯級設(shè)計套件(PDK);提供射頻器件的熱、力、電仿真服務(wù),各個頻段的芯片級測試和完整的可靠性驗(yàn)證。此外,長電科技依托與全球客戶深入合作磨練出的工藝核心能力,在射頻器件封測領(lǐng)域積累了豐富的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)和高水平技術(shù)人才團(tuán)隊。

　　針對5G網(wǎng)絡(luò)在各應(yīng)用領(lǐng)域的積極部署,長電科技將持續(xù)投入全球領(lǐng)先的射頻封測技術(shù)與服務(wù),進(jìn)一步強(qiáng)化差異化的競爭優(yōu)勢。