就在不久前，Intel宣布已經(jīng)準(zhǔn)備好大規(guī)模量產(chǎn)MRAM(磁阻式隨機(jī)訪問(wèn)內(nèi)存)，這種綜合了RAM內(nèi)存、NAND閃存的新型非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)斷電后不會(huì)丟失數(shù)據(jù)，寫(xiě)入速度則數(shù)千倍于閃存，可以兼做內(nèi)存和硬盤(pán)，甚至統(tǒng)一兩者。

　　同時(shí)很關(guān)鍵的是，它對(duì)制造工藝要求低，良品率也高得多，可以更好地控制成本，成品價(jià)格自然不會(huì)太離譜。

　　現(xiàn)在，三星電子又宣布，已經(jīng)全球第一家商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)eMRAM(嵌入式磁阻內(nèi)存)，而且用的是看上去有點(diǎn)“老舊”的28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)成熟工藝，可廣泛應(yīng)用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網(wǎng)、AI人工智能領(lǐng)域。

　　三星指出，基于放電存儲(chǔ)操作的eFlash(嵌入式閃存)已經(jīng)越來(lái)越難以進(jìn)步，SLC、MLC、TLC、QLC、OLC一路走下來(lái)，密度越來(lái)越高，但是壽命越來(lái)越短，主控和算法不得不進(jìn)行越來(lái)越復(fù)雜的補(bǔ)償。

　　eMRAM則是極佳的替代者，因?yàn)樗�是基于磁阻的存�?chǔ)，擴(kuò)展性非常好，在非易失性、隨機(jī)訪問(wèn)、壽命耐久性等方面也遠(yuǎn)勝傳統(tǒng)RAM。

　　使用28nm工藝量產(chǎn)成功，則進(jìn)一步證明三星已經(jīng)克服了eMRAM量產(chǎn)的技術(shù)難題，工藝上更不是問(wèn)題。

　　三星表示，28nm FD-SOI工藝的eMRAM可以帶來(lái)前所未有的能耗、速度優(yōu)勢(shì)。由于不需要在寫(xiě)入數(shù)據(jù)前進(jìn)行擦除循環(huán)，eMRAM的寫(xiě)入速度可以達(dá)到eFlash的大約一千倍，而且電壓、功耗低得多，待機(jī)狀態(tài)下完全不會(huì)耗電，因此能效極高。

　　另外，eMRAM可以輕易嵌入工藝后端，只需增加少數(shù)幾個(gè)層即可，因此對(duì)于前端工藝要求非常低，可以輕易地使用現(xiàn)有工藝生產(chǎn)線進(jìn)行制造，包括Bulk、Fin、FD-SOI晶體管。

　　三星還計(jì)劃今年內(nèi)流片1Gb(128MB)容量的eMRAM芯片。