3 月 7 日消息，SK 海力士為了鞏固 HBM 存儲芯片市場上的領(lǐng)先地位，2024 年計劃投資超過 10 億美元，擴(kuò)大在韓國的測試和封裝能力。據(jù)第三方專家預(yù)測，SK 海力士今年的資本支出總額將達(dá)到 105 億美元。

　　彭博社報道稱，測試和封裝能力在總支出預(yù)算占比 10%，表明 SK 海力士非常重要封裝能力。IT之家從報道中獲悉，這項業(yè)務(wù)由 Lee Kang-Wook 領(lǐng)導(dǎo)，他曾在三星電子從事過類似的工作，其特長是結(jié)合不同的半導(dǎo)體材料和開發(fā)新的互連方法。

　　Lee Kang-Wook 認(rèn)為半導(dǎo)體行業(yè)的前 50 年致力于硅加工相關(guān)組件的初始階段，而后 50 年將致力于芯片封裝技術(shù)。

　　Lee Kang-Wook 參與開發(fā) HBM2E 內(nèi)存芯片封裝方法，SK 海力士也正是憑借著封裝方面的優(yōu)勢，被英偉達(dá)選中成為主要 AI 芯片供應(yīng)商。

　　作為一名三星工程師，Lee Kang-Wook 從 2002 年開始領(lǐng)導(dǎo)堆疊半導(dǎo)體元件層間互連技術(shù)的開發(fā)。這項技術(shù)后來為 HBM 內(nèi)存芯片的誕生奠定了基礎(chǔ)，最新一代的 HBM 內(nèi)存芯片有 12 層，垂直連接。

　　2013 年，SK hynix 和 AMD 率先在量產(chǎn)產(chǎn)品中使用了 HBM，此后兩年內(nèi)沒有任何競爭對手可以效仿，直到 2015 年底三星推出 HBM2。

　　SK hynix 目前正在與日本公司合作，開發(fā)更先進(jìn)的 HBM 存儲器芯片垂直互連技術(shù)。2 月底，三星宣布已完成 12 層 HBM3E 芯片的開發(fā)，單層堆�？商峁└哌_(dá) 36 GB 的內(nèi)存。美光科技(Micron Technology)同時宣布推出 8 層 HBM3E 內(nèi)存，單堆容量可達(dá) 24 GB。