近日，據(jù)外媒報道，一個國際研究團隊報告說，在制造納米芯片方面取得了突破性進展。這一突破可能對納米芯片的生產(chǎn)和全球各地的納米技術(shù)實驗室產(chǎn)生深遠的影響。

　　科學(xué)家們正在探索越來越小、更快的半導(dǎo)體二維材料。該研究小組由美國紐約大學(xué)坦頓工程學(xué)院化學(xué)和生物分子工程教授Riedo領(lǐng)導(dǎo)。他們證明，使用加熱到攝氏100度以上的探針進行光刻，比在二硫化鉬等二維半導(dǎo)體上制造金屬電極的標(biāo)準方法要好。這些過渡金屬是科學(xué)家們認為有可能取代硅制造原子小芯片的材料之一。

　　該團隊的新制造方法熱掃描探針光刻(t-SPL)比今天的電子束光刻(EBL)具備更多優(yōu)勢。首先，熱光刻大大提高了二維晶體管的質(zhì)量，抵消了肖特基勢壘，阻礙了電子在金屬和二維襯底交界處的流動。此外，與EBL不同的是，熱光刻技術(shù)允許芯片設(shè)計者方便地對二維半導(dǎo)體進行成像，然后在需要的地方繪制電極圖案。此外，t-SPL制造系統(tǒng)在初期節(jié)省了大量的資金，同時也節(jié)省了成本。最后，利用并行熱探針可以方便地將這種熱制造方法推廣到工業(yè)生產(chǎn)中。

　　在紐約大學(xué)坦頓工程學(xué)院實驗室，Riedo教授和博士生劉向宇利用他們發(fā)明的熱掃描探針光刻工藝和Swiss Litho公司的Nano Frazor設(shè)備制造了高質(zhì)量的2D芯片。

　　該工藝有望取代今天的電子束光刻技術(shù)。Riedo教授表示，希望t-SPL將把大部分的制造工作從稀缺的干凈房間(研究人員必須與昂貴的設(shè)備競爭時間的地方)轉(zhuǎn)移到普通實驗室，在那里他們可能會迅速推進材料科學(xué)和芯片設(shè)計的研究。