在人工智能浪潮下，市場需求持續(xù)激增，HBM 技術成為人們關注的焦點。全球市場研究公司集邦咨詢預計，2023 年 HBM 需求將同比增長 58%，2024 年可能進一步增長約 30%。

　　HBM 全稱是 High Bandwidth Memory，是一款新型的 CPU / GPU 內(nèi)存芯片，將很多個 DDR 芯片堆疊在一起后和 GPU 封裝在一起，實現(xiàn)大容量，高位寬的 DDR 組合陣列。

　　HBM 相比較傳統(tǒng) DRAM 具有高帶寬、高容量、低延遲、低功耗等優(yōu)勢，特別適合 ChatGPT 等高性能計算場景。

　　IT之家注：自 2014 年推出首款采用 TSV 封裝技術的 HBM 產(chǎn)品以來，HBM 技術已經(jīng)歷多次升級，先后經(jīng)歷了 HBM、HBM2、HBM2E、HBM3 和 HBM3e。

　　目前在 HBM3 研發(fā)最前沿的是 SK 海力士和三星兩家公司，英偉達的 *** / H800、AMD 的 MI300 系列 AI 加速卡均采用 HBM3。

　　SK 海力士和三星預計將在 2024 年第一季度提供 HBM3e 樣品。另一方面，美國內(nèi)存公司美光正在繞過 HBM3，直接追求 HBM3e。

　　HBM3e 將采用 24Gb 單晶芯片堆棧，并采用 8 層 (8Hi) 配置，單個 HBM3e 芯片的容量將飆升至 24GB。

　　HBM3e 預計將在 2025 年納入 NVIDIA 的 GB100，導致三大 OEM 計劃在 2024 年第一季度發(fā)布 HBM3e 樣品，并在下半年進入量產(chǎn)。

　　除了 HBM3 和 HBM3e 之外，最新的更新表明存儲巨頭正在計劃推出下一代 HBM——HBM4。

　　三星最近宣布已開發(fā)出 9.8Gbps HBM3E，并計劃向客戶提供樣品。此外，三星正在積極開發(fā) HBM4，目標是在 2025 年開始供貨。

　　據(jù)報道，三星電子正在開發(fā)諸如用于優(yōu)化高溫熱特性的非導電粘合膜(NCF)組裝以及混合鍵合( HCB)，適用于 HBM4 產(chǎn)品。

　　雖然 HBM4 有望取得重大突破，但仍有一段路要走，因此現(xiàn)在討論其實際應用和廣泛采用還為時過早。業(yè)內(nèi)專家強調(diào)，目前 HBM 市場以 HBM2e 為主。然而，HBM3 和 HBM3e 有望在不久的將來占據(jù)領先地位。

　　集邦咨詢預計，2023 年主流需求將從 HBM2e 轉向 HBM3，預計需求占比分別約為 50% 和 39%。隨著更多基于 HBM3 的加速器芯片進入市場，需求將在 2024 年大幅轉向 HBM3，超過 HBM2e，預計占據(jù) 60% 的市場份額。