工信部今日發(fā)布公告，對(duì)《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件(2024 年本)》《光伏制造行業(yè)規(guī)范公告管理辦法(2024 年本)》(征求意見(jiàn)稿)公開(kāi)征求意見(jiàn)。

　　《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件(2024 年本)》(征求意見(jiàn)稿)中提到，引導(dǎo)光伏企業(yè)減少單純擴(kuò)大產(chǎn)能的光伏制造項(xiàng)目，加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新、提高產(chǎn)品質(zhì)量、降低生產(chǎn)成本。新建和改擴(kuò)建光伏制造項(xiàng)目，最低資本金比例為 30%。

　　IT之家注意到，《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件(2024 年本)》(征求意見(jiàn)稿)中指出，光伏制造項(xiàng)目電耗應(yīng)滿足以下要求：

　　現(xiàn)有多晶硅項(xiàng)目還原電耗小于 46 千瓦時(shí) / 千克，綜合電耗小于 60 千瓦時(shí) / 千克;新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目還原電耗小于 44 千瓦時(shí) / 千克，綜合電耗小于 57 千瓦時(shí) / 千克。

　　現(xiàn)有硅錠項(xiàng)目平均綜合電耗小于 7.5 千瓦時(shí) / 千克，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于 6.5 千瓦時(shí) / 千克;如采用多晶鑄錠爐生產(chǎn)準(zhǔn)單晶或高效多晶產(chǎn)品，項(xiàng)目平均綜合電耗的增加幅度不得超過(guò) 0.5 千瓦時(shí) / 千克。

　　現(xiàn)有硅棒項(xiàng)目平均綜合電耗小于 26 千瓦時(shí) / 千克，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于 23 千瓦時(shí) / 千克。

　　現(xiàn)有多晶硅片項(xiàng)目平均綜合電耗小于 25 萬(wàn)千瓦時(shí) / 百萬(wàn)片，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于 20 萬(wàn)千瓦時(shí) / 百萬(wàn)片;現(xiàn)有單晶硅片項(xiàng)目平均綜合電耗小于 10 萬(wàn)千瓦時(shí) / 百萬(wàn)片，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于 8 萬(wàn)千瓦時(shí) / 百萬(wàn)片。

　　P 型晶硅電池項(xiàng)目平均綜合電耗小于 5 萬(wàn)千瓦時(shí) / MWp，N 型晶硅電池項(xiàng)目平均綜合電耗小于 7 萬(wàn)千瓦時(shí) / MWp。

　　晶硅組件項(xiàng)目平均綜合電耗小于 2.5 萬(wàn)千瓦時(shí) / MWp，薄膜組件項(xiàng)目平均電耗小于 40 萬(wàn)千瓦時(shí) / MWp。

　　《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件(2024 年本)》(征求意見(jiàn)稿)還提到，新建和改擴(kuò)建企業(yè)及項(xiàng)目產(chǎn)品應(yīng)滿足以下要求：

　　多晶硅滿足《電子級(jí)多晶硅》(GB / T12963)3 級(jí)品以上要求或《流化床法顆粒硅》(GB / T35307)特級(jí)品的要求。

　　多晶硅片(含準(zhǔn)單晶硅片)少子壽命不低于 2.5μs，碳、氧含量分別小于 6ppma 和 8ppma;P 型單晶硅片少子壽命不低于 90μs，N 型單晶硅片少子壽命不低于 1000μs，碳、氧含量分別小于 1ppma 和 12ppma，其中異質(zhì)結(jié)電池用 N 型單晶硅片少子壽命不低于 700μs，碳、氧含量分別小于 1ppma 和 14ppma。

　　多晶硅電池、P 型單晶硅電池和 N 型單晶硅電池(雙面電池按正面效率計(jì)算)的平均光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于 21.7%、23.7% 和 26%。

　　多晶硅組件、P 型單晶硅組件和 N 型單晶硅組件(雙面組件按正面效率計(jì)算)的平均光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于 19.7%、21.8% 和 23.1%。CIGS、CdTe 及其他薄膜組件的平均光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于 16%、16.5%、15%。